SI2343DS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
NOVA partie #:
312-2285404-SI2343DS-T1-E3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI2343DS-T1-E3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base SI2343
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieTrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 3.1A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)±20V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 750mW (Ta)
Autres nomsSI2343DS-T1-E3CT
Q6936817FM
SI2343DS-T1-E3TR
SI2343DST1E3
SI2343DS-T1-E3DKR

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