IXTQ50N20P

MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
NOVA partie #:
312-2271574-IXTQ50N20P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTQ50N20P
Paquet Standard:
30
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 200 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:IXYS
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-3P
Numéro de produit de base IXTQ50
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePolar
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-3P-3, SC-65-3
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 360W (Tc)

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