Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
P-Channel 30 V 19.2A (Tc) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base | SI4483 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | TrenchFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 19.2A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Vg (Max) | ±25V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 15 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) | |
Autres noms | SI4483ADY-T1-GE3CT SI4483ADY-T1-GE3DKR SI4483ADY-T1-GE3TR SI4483ADYT1GE3 |
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.