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P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TA) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Numéro de produit de base | SQ2361 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.4A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 30 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Tc) | |
Autres noms | SQ2361AEES-T1_GE3DKR SQ2361AEES-T1-GE3 SQ2361AEES-T1_GE3-ND SQ2361AEES-T1_GE3TR SQ2361AEES-T1_GE3CT |
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