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NVMJS1D5N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
NOVA partie #:
312-2272576-NVMJS1D5N04CLTWG
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NVMJS1D5N04CLTWG
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-LFPAK | |
| Numéro de produit de base | NVMJS1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 200A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | |
| Autres noms | NVMJS1D5N04CLTWGOS NVMJS1D5N04CLTWGOS-ND NVMJS1D5N04CLTWGOSTR NVMJS1D5N04CLTWGOSCT NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR |
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