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P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 150°C | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23F | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | SOT-23-3 Flat Leads | |
Vg (Max) | +10V, -20V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 1W (Ta) | |
Autres noms | 264-SSM3J356R,LXHFCT SSM3J356R,LXHF(B SSM3J356RLXHF 264-SSM3J356R,LXHFTR |
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