SIHA5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
NOVA partie #:
312-2271421-SIHA5N80AE-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIHA5N80AE-GE3
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieE
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3 Full Pack
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)800 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 321 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale) 29W (Tc)
Autres noms742-SIHA5N80AE-GE3

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