SI7431DP-T1-E3

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MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

NOVA partie #:

312-2298003-SI7431DP-T1-E3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI7431DP-T1-E3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 200 V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7431
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	174mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® SO-8
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	200 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.9W (Ta)
Autres noms	SI7431DP-T1-E3DKR SI7431DP-T1-E3CT SI7431DP-T1-E3TR SI7431DPT1E3