NTNS3A65PZT5GHW

MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
NOVA partie #:
312-2342539-NTNS3A65PZT5GHW
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTNS3A65PZT5GHW
Paquet Standard:
3,000

Format de téléchargement disponible

P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 281mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisse3-XFDFN
Vg (Max)±8V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 44 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 155mW (Ta)
Autres noms488-NTNS3A65PZT5GHWTR

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