SUP80090E-GE3

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
NOVA partie #:
312-2289694-SUP80090E-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SUP80090E-GE3
Paquet Standard:
500
Fiche technique:

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N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220AB
Numéro de produit de base SUP80090
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieThunderFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 128A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)150 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3425 pF @ 75 V
Dissipation de puissance (maximale) 375W (Tc)
Autres nomsSUP80090E-GE3CT-ND
SUP80090E-GE3TR-ND
SUP80090E-GE3TRINACTIVE
SUP80090E-GE3TR
SUP80090E-GE3DKRINACTIVE
SUP80090E-GE3DKR
SUP80090E-GE3DKR-ND
SUP80090E-GE3CT

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