IXTX200N10L2

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
NOVA partie #:
312-2289964-IXTX200N10L2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTX200N10L2
Paquet Standard:
30
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:IXYS
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur PLUS247™-3
Numéro de produit de base IXTX200
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieLinear L2™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-3
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 1040W (Tc)

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