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à propos de KiCad
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
NOVA partie #:
312-2290438-SIRA50ADP-T1-RE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIRA50ADP-T1-RE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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N-Channel 40 V 54.8A (Ta), 219A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
| Numéro de produit de base | SIRA50 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® Gen IV | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 54.8A (Ta), 219A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.04mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 | |
| Vg (Max) | +20V, -16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 6.25W (Ta), 100W (Tc) | |
| Autres noms | SIRA50ADP-T1-RE3TR SIRA50ADP-T1-RE3DKR SIRA50ADP-T1-RE3CT |
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