SISH625DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK

NOVA partie #:

312-2285506-SISH625DN-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SISH625DN-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 30 V 17.3A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8SH
Numéro de produit de base	SISH625
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	17.3A (Ta), 35A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	126 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® 1212-8SH
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4427 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Autres noms	SISH625DN-T1-GE3DKR SISH625DN-T1-GE3CT SISH625DN-T1-GE3TR