FCD4N60TM

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
NOVA partie #:
312-2263438-FCD4N60TM
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FCD4N60TM
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-252AA
Numéro de produit de base FCD4N60
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieSuperFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 50W (Tc)
Autres nomsFCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR

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