STW11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
NOVA partie #:
312-2292570-STW11NM80
Pièce de fabricant non:
STW11NM80
Paquet Standard:
30
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:STMicroelectronics
RoHS 1
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-247-3
Numéro de produit de base STW11
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieMDmesh™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43.6 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-3
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)800 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 150W (Tc)
Autres noms1026-STW11NM80
497-4420-5
-497-4420-5

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