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N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Harris Corporation | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220 | |
Numéro de produit de base | IRF7 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | PowerMESH™ II | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-220-3 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 400 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 100W (Tc) | |
Autres noms | 2156-IRF730 HARHARIRF730 |
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