SQJQ410EL-T1

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SQJQ410EL-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

NOVA partie #:

312-2279731-SQJQ410EL-T1_GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SQJQ410EL-T1_GE3

Paquet Standard:

2,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Numéro de produit de base	SQJQ410
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	135A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® 8 x 8
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7350 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	136W (Tc)
Autres noms	SQJQ410EL-T1_GE3CT SQJQ410EL-T1_GE3DKR SQJQ410EL-T1_GE3TR