IPN60R1K0CEATMA1

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MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223

NOVA partie #:

312-2290173-IPN60R1K0CEATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPN60R1K0CEATMA1

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-SOT223-3
Numéro de produit de base	IPN60R1
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ CE
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	6.8A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale)	5W (Tc)
Autres noms	IPN60R1K0CEATMA1-ND SP001434884 IPN60R1K0CEATMA1CT IPN60R1K0CEATMA1DKR IPN60R1K0CEATMA1TR