TPH2900ENH,L1Q

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MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

NOVA partie #:

312-2281553-TPH2900ENH,L1Q

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

TPH2900ENH,L1Q

Paquet Standard:

5,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Numéro de produit de base	TPH2900
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	U-MOSVIII-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	33A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerVDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale)	78W (Tc)
Autres noms	TPH2900ENHL1QTR TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENHL1QDKR TPH2900ENHL1QCT