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à propos de KiCad
BUK7E1R6-30E,127
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
NOVA partie #:
312-2344757-BUK7E1R6-30E,127
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BUK7E1R6-30E,127
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
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N-Channel 30 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | I2PAK | |
| Numéro de produit de base | BUK7 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 154 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11960 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 349W (Tc) | |
| Autres noms | 934066509127 BUK7E1R630E127 NEXNXPBUK7E1R6-30E,127 568-9848-5 2156-BUK7E1R6-30E127-NX |
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