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P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | VESM | |
Numéro de produit de base | SSM3J15 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | π-MOSVI | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | SOT-723 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1 pF @ 3 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 150mW (Ta) | |
Autres noms | SSM3J15FV,L3F(B SSM3J15FV,L3F(T SSM3J15FVL3FTR SSM3J15FVL3FCT SSM3J15FVL3FDKR |
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