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TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
NOVA partie #:
312-2283657-TP65H070LSG-TR
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TP65H070LSG-TR
Paquet Standard:
500
Fiche technique:
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N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 3-PQFN (8x8) | |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Série | TP65H070L | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 3-PowerDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 96W (Tc) | |
| Autres noms | 1707-TP65H070LSG-CT 1707-TP65H070LSG-DKR 1707-TP65H070LSG-TR |
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