SIA429DJT-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

NOVA partie #:

312-2285212-SIA429DJT-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SIA429DJT-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SC-70-6
Numéro de produit de base	SIA429
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 8 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® SC-70-6
Vg (Max)	±8V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1750 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Autres noms	SIA429DJT-T1-GE3DKR SIA429DJT-T1-GE3TR SIA429DJT-T1-GE3CT SIA429DJTT1GE3