2N7000BU

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
NOVA partie #:
312-2263281-2N7000BU
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
2N7000BU
Paquet Standard:
10,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-92-3
Numéro de produit de base 2N7000
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 400mW (Ta)

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