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à propos de KiCad
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
NOVA partie #:
312-2285275-IPD135N03LGATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPD135N03LGATMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
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N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
| Numéro de produit de base | IPD135 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 31W (Tc) | |
| Autres noms | IPD135N03L G SP000796912 IPD135N03L GDKR-ND IPD135N03L GCT-ND IPD135N03L GDKR IPD135N03LGATMA1DKR IPD135N03L GCT IPD135N03L GTR IPD135N03LGATMA1TR IPD135N03L GTR-ND IPD135N03LGATMA1CT |
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