DMN1019USN-13

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
NOVA partie #:
312-2284829-DMN1019USN-13
Pièce de fabricant non:
DMN1019USN-13
Paquet Standard:
10,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Diodes Incorporated
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SC-59-3
Numéro de produit de base DMN1019
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50.6 nC @ 8 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)±8V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2426 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 680mW (Ta)
Autres nomsDMN1019USN-13DITR
DMN1019USN-13DICT
DMN1019USN-13DIDKR

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