SI2319CDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3

NOVA partie #:

312-2280698-SI2319CDS-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI2319CDS-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 40 V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	SI2319
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	4.4A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	595 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Autres noms	SI2319CDS-T1-GE3TR SI2319CDST1GE3 SI2319CDS-T1-GE3CT SI2319CDS-T1-GE3DKR