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N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Numéro de produit de base | SISA18 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | TrenchFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 38.3A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
Vg (Max) | +20V, -16V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
Autres noms | SISA18ADN-T1-GE3CT SISA18ADN-T1-GE3TR SISA18ADN-T1-GE3-ND SISA18ADN-T1-GE3DKR |
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