FQD5N20LTM

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
NOVA partie #:
312-2273619-FQD5N20LTM
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FQD5N20LTM
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-252AA
Numéro de produit de base FQD5N20
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieQFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 5 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Autres nomsFQD5N20LTMDKR
FQD5N20LTMCT
FQD5N20LTMTR
FQD5N20LTM-ND

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