SPD18P06PGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

NOVA partie #:

312-2361603-SPD18P06PGBTMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SPD18P06PGBTMA1

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Numéro de produit de base	SPD18P06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	18.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	80W (Tc)
Autres noms	SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06P GCT-ND SPD18P06P GDKR-ND SPD18P06PGBTMA1DKR SPD18P06P GDKR SPD18P06PGBTMA1CT SPD18P06P GCT SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR SP000443926