l’altium
aigle
OrCad
coussinets
à propos de KiCad
BUK9E2R3-40E,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
NOVA partie #:
312-2344919-BUK9E2R3-40E,127
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BUK9E2R3-40E,127
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
N-Channel 40 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | I2PAK | |
| Numéro de produit de base | BUK9 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 87.8 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vg (Max) | ±10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13160 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 293W (Tc) | |
| Autres noms | BUK9E2R340E127 934066413127 568-9871-5 NEXNXPBUK9E2R3-40E,127 2156-BUK9E2R3-40E127-NX |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.