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MTB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
NOVA partie #:
312-2263330-MTB50P03HDLT4G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
MTB50P03HDLT4G
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
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P-Channel 30 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK | |
| Numéro de produit de base | MTB50 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±15V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
| Autres noms | MTB50P03HDLT4GOSDKR MTB50P03HDLT4GOSTR MTB50P03HDLT4GOS MTB50P03HDLT4GOSCT MTB50P03HDLT4GOS-ND |
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