FQD3N60CTM-WS

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MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

NOVA partie #:

312-2287702-FQD3N60CTM-WS

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FQD3N60CTM-WS

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Numéro de produit de base	FQD3N60
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	QFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2.4A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	565 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	50W (Tc)
Autres noms	FQD3N60CTM_WSTR-ND FQD3N60CTM_WSDKR-ND FQD3N60CTMWS FQD3N60CTM_WS FQD3N60CTM_WSTR FQD3N60CTM_WSCT-ND FQD3N60CTM-WSCT FQD3N60CTM-WSDKR FQD3N60CTM_WSDKR FQD3N60CTM-WSINACTIVE FQD3N60CTM-WS-ND FQD3N60CTM_WS-ND FQD3N60CTM-WSTR FQD3N60CTM_WSCT