l’altium
aigle
OrCad
coussinets
à propos de KiCad
TSM60NB099CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
NOVA partie #:
312-2265403-TSM60NB099CZ C0G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TSM60NB099CZ C0G
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
N-Channel 600 V 38A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220 | |
| Numéro de produit de base | TSM60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 38A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 11.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 600 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2587 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 298W (Tc) | |
| Autres noms | TSM60NB099CZC0G TSM60NB099CZ C0G-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IPP60R099C6XKSA1Infineon Technologies
FCP067N65S3onsemi
