MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICEn stockRoHS / Conformité

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FDS6612A

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC

Série
PowerTrench®
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
Fabricantonsemi
Note-
SériePowerTrench®
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Numéro de produit de baseFDS6612
Température de fonctionnement-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta)
Boîtier
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MSL
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