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à propos de KiCad
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
NOVA partie #:
312-2264869-IPP60R080P7XKSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPP60R080P7XKSA1
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
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N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3 | |
| Numéro de produit de base | IPP60R080 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ P7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 129W (Tc) | |
| Autres noms | SP001647034 |
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