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à propos de KiCad
SQM60N20-35_GE3
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
NOVA partie #:
312-2274222-SQM60N20-35_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQM60N20-35_GE3
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
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N-Channel 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) | |
| Numéro de produit de base | SQM60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
| Autres noms | SQM60N20-35_GE3CT SQM60N20-35_GE3TR SQM60N20-35_GE3DKR SQM60N20-35_GE3-ND |
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