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N-Channel 100 V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252-3 | |
Numéro de produit de base | DMN10 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 42W (Tc) | |
Autres noms | DMN10H170SK3-13DICT DMN10H170SK3-13DIDKR DMN10H170SK3-13DITR DMN10H170SK313 |
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