SI4459BDY-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO

NOVA partie #:

312-2287834-SI4459BDY-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI4459BDY-T1-GE3

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 30 V 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	SI4459
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET® Gen IV
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)	+20V, -16V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3490 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Autres noms	SI4459BDY-GE3 SI4459BDY-T1-GE3TR SI4459BDY-T1-GE3DKR SI4459BDY-T1-GE3CT