BSP613PH6327XTSA1

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MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

NOVA partie #:

312-2281349-BSP613PH6327XTSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSP613PH6327XTSA1

Paquet Standard:

1,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-SOT223-4
Numéro de produit de base	BSP613
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	875 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.8W (Ta)
Autres noms	BSP613PH6327XTSA1TR BSP613PH6327XTSA1CT BSP613PH6327XTSA1DKR SP001058788