l’altium
aigle
OrCad
coussinets
à propos de KiCad
SI8499DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
NOVA partie #:
312-2285409-SI8499DB-T2-E1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI8499DB-T2-E1
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
P-Channel 20 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | |
| Numéro de produit de base | SI8499 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 6-UFBGA | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | |
| Autres noms | SI8499DB-T2-E1DKR SI8499DBT2E1 SI8499DB-T2-E1CT SI8499DB-T2-E1TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SSM6J771G,LFToshiba Semiconductor and Storage
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and Storage
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage
