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GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
NOVA partie #:
312-2277409-GPI65008DF56
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
GPI65008DF56
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
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N-Channel 650 V 8A - Surface Mount Die
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | GaNPower | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Die | |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8A | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | Die | |
| Vg (Max) | +7.5V, -12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 63 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | - | |
| Autres noms | 4025-GPI65008DF56TR |
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