TSM650P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
NOVA partie #:
312-2285542-TSM650P02CX RFG
Pièce de fabricant non:
TSM650P02CX RFG
Paquet Standard:
3,000

Format de téléchargement disponible

P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Taiwan Semiconductor Corporation
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-23
Numéro de produit de base TSM650
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)±10V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 1.56W (Tc)
Autres nomsTSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-ND
TSM650P02CX RFGDKR-ND
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-ND

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