SI2366DS-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

NOVA partie #:

312-2284853-SI2366DS-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI2366DS-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 30 V 5.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	SI2366
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	335 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Autres noms	SI2366DS-T1-GE3DKR SI2366DS-T1-GE3CT SI2366DS-T1-GE3TR SI2366DS-T1-GE3-ND