FCH041N65EFL4

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
NOVA partie #:
312-2278062-FCH041N65EFL4
Pièce de fabricant non:
FCH041N65EFL4
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Fairchild Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-247
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieFRFET®, SuperFET® II
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 298 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-4
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12560 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale) 595W (Tc)
Autres noms2156-FCH041N65EFL4
ONSFSCFCH041N65EFL4

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