l’altium
aigle
OrCad
coussinets
à propos de KiCad
IPW65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
NOVA partie #:
312-2283671-IPW65R035CFD7AXKSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPW65R035CFD7AXKSA1
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
N-Channel 650 V 63A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3-41 | |
| Numéro de produit de base | IPW65R035 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 35.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.79mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7149 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 305W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IPW65R035CFD7AXKSA1 SP005324274 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
BAT54H,115Nexperia USA Inc.
BZT52C15-7-FDiodes Incorporated
ECS-200-20-30B-DUECS Inc.
IKW75N65EL5XKSA1Infineon Technologies
GBU806Diodes Incorporated
