SI7114DN-T1-E3

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MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

NOVA partie #:

312-2282430-SI7114DN-T1-E3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI7114DN-T1-E3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 30 V 11.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base	SI7114
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® 1212-8
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.5W (Ta)
Autres noms	SI7114DN-T1-E3CT SI7114DNT1E3 SI7114DN-T1-E3TR SI7114DN-T1-E3DKR