SQD50P04-13L

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SQD50P04-13L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

NOVA partie #:

312-2288712-SQD50P04-13L_GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SQD50P04-13L_GE3

Paquet Standard:

2,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 40 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Numéro de produit de base	SQD50
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3590 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	3W (Ta), 136W (Tc)
Autres noms	SQD50P04-13L_GE3CT SQD50P04-13L_GE3DKR SQD50P04-13L_GE3TR SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L-GE3-ND