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P-Channel 30 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 150°C | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | S-Mini | |
Numéro de produit de base | SSM3J353 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | U-MOSVI | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 4.5 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vg (Max) | +20V, -25V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 159 pF @ 15 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 600mW (Ta) | |
Autres noms | SSM3J353FLFTR SSM3J353F,LF(T SSM3J353FLFDKR SSM3J353FLFCT SSM3J353F,LF(B |
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