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PowerTrench®
FET Type
P-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | onsemi |
| Note | - |
| Série | PowerTrench® |
| FET Type | P-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Numéro de produit de base | FDS6675 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
Boîtier
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MSL
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